{ "item_title" : "Contribution a la modelisation des tbh si/sige en temperature", "item_author" : [" Collectif "], "item_description" : "La prise en compte de l'effet de la temp rature et en particulier de l'auto- chauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de mani re pr cise des caract ristiqueslectriques des transistors bipolairesh t rojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d' tre expos esdiff rentes temp ratures et fonctionnant pour des fortes densit s de courant accentuentnorm ment ces effets. Par cons quent, une mod lisation pr cise de ces ph nom nes est indispensable. Un mod le dynamique d crivant l'auto- chauffement, caract rispar unel vation de la temp rature de jonction, atd velopp . Unequivalencelectrique de ce mod le analytique atr alis e afin qu'il soit compatible avec des mod leslectriques de type SPICE. Un banc de test sp cifique pourvaluer le nouveau mod le et extraire ses param tres atmis en oeuvre. Dans une deuxi me partie, la d pendance en temp rature des diff rents param tres qui peuvent intervenir dans un mod lelectrique compact et en particulier dans le mod le HICUM attudi e.", "item_img_path" : "https://covers1.booksamillion.com/covers/bam/6/13/150/084/6131500843_b.jpg", "price_data" : { "retail_price" : "96.00", "online_price" : "96.00", "our_price" : "96.00", "club_price" : "96.00", "savings_pct" : "0", "savings_amt" : "0.00", "club_savings_pct" : "0", "club_savings_amt" : "0.00", "discount_pct" : "10", "store_price" : "" } }

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