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"item_title" : "ESD in Silicon Integrated Circuits 2e",
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"item_description" : "Thema dieses Buches sind elektrostatische Entladungseffekte (ESD) in integrierten Siliciumschaltkreisen, die sich zu einem wesentlichen Problem der modernen hochintegrierten Schaltungen mit Strukturbreiten in Sub-Mikrometer-Dimensionen entwickelt haben. Diese 2. Auflage des klassischen Handbuchs liefert einen komplettenberblickber alle Aspekte des ESD und die unmittelbaren Folgerungen f r Entwurf und Entwicklung neuer Schaltkreise und Technologien. Die H lfte des Materials wurde neu aufgenommen. das Autorenteam wurde um drei international anerkannte Experten erweitert.",
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Overview
Thema dieses Buches sind elektrostatische Entladungseffekte (ESD) in integrierten Siliciumschaltkreisen, die sich zu einem wesentlichen Problem der modernen hochintegrierten Schaltungen mit Strukturbreiten in Sub-Mikrometer-Dimensionen entwickelt haben. Diese 2. Auflage des klassischen Handbuchs liefert einen kompletten berblick ber alle Aspekte des ESD und die unmittelbaren Folgerungen f r Entwurf und Entwicklung neuer Schaltkreise und Technologien. Die H lfte des Materials wurde neu aufgenommen. das Autorenteam wurde um drei international anerkannte Experten erweitert.
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Details
- ISBN-13: 9780471498711
- ISBN-10: 0471498718
- Publisher: John Wiley & Sons
- Publish Date: May 2002
- Dimensions: 9.58 x 6.39 x 1.15 inches
- Shipping Weight: 1.58 pounds
- Page Count: 424
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