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"item_title" : "Fundamentals of III-V Devices",
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Overview
HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herk mmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit berlegen. Sie eignen sich ideal f r drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenw rtig intensiv erforscht. Diese Einf hrung ist so verst ndlich formuliert, da der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik ben tigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)
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Details
- ISBN-13: 9780471297000
- ISBN-10: 0471297003
- Publisher: John Wiley & Sons
- Publish Date: March 1999
- Dimensions: 9.66 x 6.46 x 1.2 inches
- Shipping Weight: 1.85 pounds
- Page Count: 520
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