{ "item_title" : "Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs", "item_author" : [" Collectif "], "item_description" : "Des mat riaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont tr s attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composantslectroniques, permet d'atteindre simultan ment de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la cons quence des propri t s remarquables des compos s III-Vbase d'azote que sont les nitrures. Des mod les de la mobilitdeslectrons dans nitrure de gallium onttd velopp s au paravent, mais leurs applications sont limit es car ils ne sont pas valables pour les basses temp ratures (T10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destind velopper des approches analytiques de la mobilitdeslectrons qui peuventtre utilis es pourtudier le m canisme de transport deslectrons dans le GaN pour des larges gammes de temp ratures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champlectrique en utilisant les techniquesvolutionnaires.", "item_img_path" : "https://covers3.booksamillion.com/covers/bam/6/13/155/139/6131551391_b.jpg", "price_data" : { "retail_price" : "52.00", "online_price" : "52.00", "our_price" : "52.00", "club_price" : "52.00", "savings_pct" : "0", "savings_amt" : "0.00", "club_savings_pct" : "0", "club_savings_amt" : "0.00", "discount_pct" : "10", "store_price" : "" } }

Overview

Customers Also Bought

Details