{ "item_title" : "Le transistor cmos", "item_author" : [" Collectif "], "item_description" : "Ce travail de th se est constitude deux grandes parties. Dans la premi re partie, nous avonstudila redistribution du B dans le Si(001),l''ambiante et apr s recuit thermique,l''aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cettetude, le Si atfortement dopen B. La concentration en B dans le Si peut alors d passer la limite de solubilit . On est donc dans le cas d''un syst me sursatur . Dans ce cas, nous avons observqu''la formation de d fauts (BIC''s, etc...) s''ajoute la germination d''amas riches en B ou m me la pr cipitation d''une nouvelle phase apr s recuit thermique. Dans la deuxi me partie, nous avonstudila redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilislors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de r duire la r sistance de contact. A part l''accumulation du Bl''interface NiSi/Si etla surface de NiSi, nous avons observ , la pr cipitation du B dans le monosiliciure de Ni, pour un recuit450 C. En revanche, pour le Pt nous n''observons plus un ph nom ne de pr cipitation. Il a plut t tendance de s gr ger aux interfaces290 C (ph nom ne de chasse-neige ), tandis qu''au delde 350 C, le Pt s''accumule plutot dans la phase NiSi.", "item_img_path" : "https://covers4.booksamillion.com/covers/bam/6/13/154/805/6131548056_b.jpg", "price_data" : { "retail_price" : "105.00", "online_price" : "105.00", "our_price" : "105.00", "club_price" : "105.00", "savings_pct" : "0", "savings_amt" : "0.00", "club_savings_pct" : "0", "club_savings_amt" : "0.00", "discount_pct" : "10", "store_price" : "" } }

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